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公开(公告)号：CN114927581A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387755.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。
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公开(公告)号：CN104729983A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510117112.X
申请日：2015-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N17/02
Abstract: 本发明涉及流体腐蚀测试试验装置，具体为一种间隙流场的金属腐蚀试验装置,解决现有技术中间隙流动下电化学腐蚀特性的原位表征监测困难等问题。该装置设有金属腐蚀电极、辅助电极、参比电极、反应釜体、反应釜盖、转子、旋转组件、旋转电机、外部循环水管、循环水控温釜体、循环泵等，能实现间隙流体及间隙多相流环境下的腐蚀评估与检测，通过安装在反应釜表面的金属腐蚀电极、辅助电极和参比电极配合电化学工作站实现电化学腐蚀特性测试与分析。本装置可模拟屏蔽电机、水润滑轴承、钻杆等不同几何构件，在不同温度、流速等间隙流体环境中的腐蚀行为，为相关部件选材和腐蚀寿命评估提供试验支撑。
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公开(公告)号：CN104729983B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510117112.X
申请日：2015-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N17/02
Abstract: 本发明涉及流体腐蚀测试试验装置，具体为一种间隙流场的金属腐蚀试验装置,解决现有技术中间隙流动下电化学腐蚀特性的原位表征监测困难等问题。该装置设有金属腐蚀电极、辅助电极、参比电极、反应釜体、反应釜盖、转子、旋转组件、旋转电机、外部循环水管、循环水控温釜体、循环泵等，能实现间隙流体及间隙多相流环境下的腐蚀评估与检测，通过安装在反应釜表面的金属腐蚀电极、辅助电极和参比电极配合电化学工作站实现电化学腐蚀特性测试与分析。本装置可模拟屏蔽电机、水润滑轴承、钻杆等不同几何构件，在不同温度、流速等间隙流体环境中的腐蚀行为，为相关部件选材和腐蚀寿命评估提供试验支撑。
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公开(公告)号：CN114927581B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210387755.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y20/00
Abstract: 本发明属于图像传感器领域，涉及一种硅基CMOS图像传感器三维感光像素结构及其制备方法。本发明可以有效提高光线入射效率，扩大光线空间角，从而有效提高前照式CMOS结构的综合感光性能；其纳米柱结构的感光像素结构，由于陷光效应和共振吸收增强效应，可有效提高光吸收利用率；由于硅纳米柱为内外型体PN结结构，因此相比相同横截面积的平面PN结感光像素，其具有更大面积的势垒区，可提高其满阱容量；因此同时实际入射光存在垂直以外的其他入射角度，使得其侧壁势垒区也可以响应入射光线，从而有效提高综合弱光响应能力；该结构制备方法难度较小，适合整合应用到成熟IC工业产线，从而有效提高硅基CMOS图像传感器的像素感光性能。
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