一种忆阻器件的阻纳变温测试方法

    公开(公告)号:CN117907714A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410039721.7

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域,一种忆阻器件的阻纳变温测试方法,包括以下步骤:(1)连接液氮装置与变温测试探针台,(2)连接阻抗分析仪与变温测试探针台,(3)设置阻抗分析仪测量环境(4)忆阻器件初始态阻纳谱的测试,(5)忆阻器件开启态阻纳谱的测试,(6)忆阻器件高阻态阻纳谱的测试,(7)忆阻器件低阻态阻纳谱的测试。本发明可以快速获得忆阻器件不同温度下的阻纳谱,为忆阻系统微观等效电路模型的研究提供了有效的测试方法,可丰富忆阻器件微观物理机理的研究,统一忆阻系统基础理论的研究,加快忆阻器的商业化落地。

    一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法

    公开(公告)号:CN112485529B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202011343909.9

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域,一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法,其中,测试方法,包括以下步骤:(1)自制测量夹具,(2)连接阻抗分析仪与测试探针台,(3)设置阻抗分析仪测量环境,(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试,(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法,包括以下步骤:(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型,(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数,(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱,为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段,可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。

    一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法

    公开(公告)号:CN112485529A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011343909.9

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域,一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法,其中,测试方法,包括以下步骤:(1)自制测量夹具,(2)连接阻抗分析仪与测试探针台,(3)设置阻抗分析仪测量环境,(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试,(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法,包括以下步骤:(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型,(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数,(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱,为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段,可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。

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