公开(公告)号：CN103597582A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280028004.X

申请日：2012-08-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极（11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN103597582B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280028004.X

申请日：2012-08-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN107924845A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049648.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  久保胜 ,  福见公孝 ,  藤井敬久

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体器件具备：至少覆盖漏电极(19)的第二绝缘膜(22)、和使负载短路时产生于漏电极(19)与第二绝缘膜(22)之间的热应力最大的位置的热应力减少的热应力减少部。热应力减少部(19bf)是漏电极(19)的上部朝向源电极(18)延伸而成的漏极场板部(19bf)。

公开(公告)号：CN105264650A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480030382.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  永久哲三 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。

公开(公告)号：CN105264650B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480030382.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  永久哲三 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。