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公开(公告)号：CN105264651A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480030391.X
申请日：2014-05-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/41766 , H01L29/518 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，缓冲层(2)的高电阻层(3)侧的碳浓度为0.8×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的缓冲层(2)侧的碳浓度为3.7×1018/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的沟道层(4)侧的碳浓度为1.4×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105264651B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480030391.X
申请日：2014-05-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/41766 , H01L29/518 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，缓冲层(2)的高电阻层(3)侧的碳浓度为0.8×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的缓冲层(2)侧的碳浓度为3.7×1018/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的沟道层(4)侧的碳浓度为1.4×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下。
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公开(公告)号：CN107004605A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068298.2
申请日：2015-08-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)，于所述氮化物半导体层上互相隔开间隔而配置；第一栅极电极(7)，位于所述源极电极(5)与所述漏极电极(6)之间，并且以常导通运作；第二栅极电极(9)，位于所述第一栅极电极(7)与所述源极电极(5)之间，并且以常关断运作，所述第一栅极电极(7)以于俯视时包围所述漏极电极(6)的方式配置，所述第二栅极电极(9)以于俯视时包围所述源极电极(5)的方式配置。
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公开(公告)号：CN105264650B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201480030382.0
申请日：2014-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。
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公开(公告)号：CN103930978B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280055638.4
申请日：2012-10-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/32 , H01L29/2003 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/7786
Abstract: 根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×109Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10‑4(A/cm2)时的值。通过具有电阻率ρ＝3.9×109Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图3所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×1011Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×107Ωcm时，栅极泄漏电流增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103930978A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280055638.4
申请日：2012-10-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/32 , H01L29/2003 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/7786
Abstract: 根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×109Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10-4(A/cm2)时的值。通过具有电阻率ρ＝3.9×109Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×1011Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×107Ωcm时，栅极泄漏电流增大。
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公开(公告)号：CN105264650A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480030382.0
申请日：2014-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。
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公开(公告)号：CN107112240A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068067.1
申请日：2015-08-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)；第一栅极电极(7)，于俯视时以包围所述漏极电极(6)的方式配置而常导通运作；第二栅极电极(9)，于俯视时以包围所述第一栅极电极(7)的方式配置而常关断运作，所述第一栅极电极(7)及所述第二栅极电极(9)包含于俯视时，所述第一栅极电极(7)的外缘及所述第二栅极电极(9)的外缘皆形成大致直线的直线部与形成曲线或弯曲的角部的端部，所述第一栅极电极(7)、所述第二栅极电极(9)以及所述源极电极(5)中的任一者的间隔、长度或曲率半径是以缓和在所述端部的电场的集中的方式设定。
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公开(公告)号：CN101924128B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010201136.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其具有：基板、沟道层、载流子供给层、源极电极、漏极电极、栅极电极、在源极电极和漏极电极之间层叠于载流子供给层且抑制电流崩塌现象的第一绝缘层、形成于与漏极电极相对的第一绝缘层的端部与漏极电极之间的开口部、以及层叠于在开口部露出的载流子供给层的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101924128A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010201136.0
申请日：2010-06-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其具有：基板、沟道层、载流子供给层、源极电极、漏极电极、栅极电极、在源极电极和漏极电极之间层叠于载流子供给层且抑制电流崩塌现象的第一绝缘层、形成于与漏极电极相对的第一绝缘层的端部与漏极电极之间的开口部、以及层叠于在开口部露出的载流子供给层的第二绝缘层。
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