公开(公告)号：CN107004605A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068298.2

申请日：2015-08-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  福见公孝 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)，于所述氮化物半导体层上互相隔开间隔而配置；第一栅极电极(7)，位于所述源极电极(5)与所述漏极电极(6)之间，并且以常导通运作；第二栅极电极(9)，位于所述第一栅极电极(7)与所述源极电极(5)之间，并且以常关断运作，所述第一栅极电极(7)以于俯视时包围所述漏极电极(6)的方式配置，所述第二栅极电极(9)以于俯视时包围所述源极电极(5)的方式配置。

公开(公告)号：CN107924845A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049648.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  久保胜 ,  福见公孝 ,  藤井敬久

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体器件具备：至少覆盖漏电极(19)的第二绝缘膜(22)、和使负载短路时产生于漏电极(19)与第二绝缘膜(22)之间的热应力最大的位置的热应力减少的热应力减少部。热应力减少部(19bf)是漏电极(19)的上部朝向源电极(18)延伸而成的漏极场板部(19bf)。

公开(公告)号：CN107112240A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068067.1

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  福见公孝 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 一种场效应晶体管，具备：氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)；第一栅极电极(7)，于俯视时以包围所述漏极电极(6)的方式配置而常导通运作；第二栅极电极(9)，于俯视时以包围所述第一栅极电极(7)的方式配置而常关断运作，所述第一栅极电极(7)及所述第二栅极电极(9)包含于俯视时，所述第一栅极电极(7)的外缘及所述第二栅极电极(9)的外缘皆形成大致直线的直线部与形成曲线或弯曲的角部的端部，所述第一栅极电极(7)、所述第二栅极电极(9)以及所述源极电极(5)中的任一者的间隔、长度或曲率半径是以缓和在所述端部的电场的集中的方式设定。

公开(公告)号：CN110555366A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910472053.6

申请日：2019-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福见公孝

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/20 ,  G08B21/06 ,  B60W40/09

Abstract: 本发明提供一种驾驶员监视装置，其包括：驾驶员监视用照相机，其对驾驶员的面部进行拍摄；检测部，其基于由驾驶员监视用照相机拍摄到的驾驶员的面部图像检测与驾驶员的安全确认行为相关的安全确认行为信息；以及判定部，其基于由检测部检测到的安全确认行为信息判定驾驶员是否怠慢了安全确认行为。

公开(公告)号：CN1976056A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163949.9

申请日：2006-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福见公孝 ,  A·O·阿丹

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L23/481 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括设置在半导体芯片的前表面上、并电连接到构成晶体管的电极中的至少一个的至少一个第一电极11b；设置在半导体芯片的后表面上、并电连接到其它电极中的一个的第二电极9；从前表面至后表面穿透半导体芯片的通孔；以及其一部分露在半导体芯片的前表面上、通过通孔电连接到第二电极9的通电极11a。