公开(公告)号：CN104040721A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066800.2

申请日：2012-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 舩越康志

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L23/544 ,  B24B27/0633 ,  B28D5/045 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/40

Abstract: 一种半导体装置及该半导体装置的制造方法，在该半导体装置中，在半导体基板的表面形成有研磨粒痕，掺杂剂扩散区域具有沿与研磨粒痕的伸长方向形成的角度在－5°～+5°范围内的方向伸长的部分，掺杂剂扩散区域通过从设置于半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。

公开(公告)号：CN102742025A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007919.8

申请日：2011-01-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 横泽雄二 ,  舩越康志 ,  冈本谕 ,  仓桥孝尚

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池的制造方法、背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池模块。该背面电极型太阳能电池（1，16）的制造方法包括：在硅基板（4）的受光面涂布包括含有与硅基板（4）具有相同导电型的杂质的化合物、钛醇及乙醇的溶液（27）后进行热处理，由此形成受光面扩散层（6）和防止反射膜（7，12）的工序；在硅基板（4）的受光面上通过热处理形成受光面钝化膜（8）的工序。该背面电极型太阳能电池（1，16）具有：受光面扩散层（6）、在受光面扩散层（6）上且由含有与硅基板（4）相同导电型的杂质的二氧化钛形成的防止反射膜（7）。该背面电极型太阳能电池模块（35）包括该背面电极型太阳能电池（1，16）。

公开(公告)号：CN102939664B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180030241.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田健治 ,  舩越康志 ,  冈宏幸 ,  冈本谕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L31/0682 ,  B24B27/0633 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

公开(公告)号：CN102939664A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180030241.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田健治 ,  舩越康志 ,  冈宏幸 ,  冈本谕

IPC: H01L31/04 ,  B24B27/06 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L31/0682 ,  B24B27/0633 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

公开(公告)号：CN101548392A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044547.X

申请日：2007-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊坂隆行 ,  舩越康志 ,  小平真继

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L31/02168 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池(10)，其中，在该太阳能电池(10)中形成的钝化膜(3)对于太阳能电池(10)中的硅基板表面(1)上的p区及n区中的任一区域均可发挥高度钝化效果。在该太阳能电池(10)中，在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了由氮化硅膜构成的第1钝化膜，该第1钝化膜的折射率在2.6以上。在该太阳能电池(10)中，优选在硅基板(1)和第1钝化膜之间形成含有氧化硅膜和/或氧化铝膜的第2钝化膜。并且，该太阳能电池(10)优选为下述的背结型太阳能电池——在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了pn结的太阳能电池。

公开(公告)号：CN205680692U

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201490000889.7

申请日：2014-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 舩越康志

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种具备不会对基板造成机械性的损害的方向性确认用标记的背面电极型太阳能电池及使用了它的太阳能电池模块。此外，提供一种能够不增加工序数地形成标记的背面电极型太阳能电池的制造方法。一种背面电极型太阳能电池，在第一导电型的半导体基板的一个面具有第一导电型杂质扩散层、第二导电型杂质扩散层、与所述第一导电型杂质扩散层连接的第一电极以及与所述第二导电型杂质扩散层连接的第二电极，其特征在于，所述第一导电型杂质扩散层和/或所述第二导电型杂质扩散层在所述半导体基板的1个以上的端部区域中是与其他的端部区域不同的形状。