公开(公告)号：CN100442519C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。

公开(公告)号：CN1776912A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125483.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大西哲也 ,  新村尚之 ,  山崎信夫 ,  涩谷隆广 ,  中野贵司 ,  田尻雅之 ,  大西茂夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。