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公开(公告)号：CN101681913B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101548334B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200780045014.3
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种针对多个具备随着电压施加而电阻特性发生变化地可变电阻元件的存储器单元、可单独同时执行电阻变化的不同的改写动作的非易失性半导体存储装置。按与同一列的存储器单元公共连接的每个位线(BL0～3)，具备根据使改写对象的可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态向高电阻状态转移的第一改写动作与从高电阻状态向低电阻状态转移的第二改写动作的差异，可单独选择2个负载电阻特性的任一个的负载电阻特性可变电路(14)，具备将第一改写动作中施加的第一电压脉冲和第二改写动作中施加第二电压脉冲，经负载电阻特性可变电路(14)和位线(BL0～3)施加给改写对象的存储器单元的改写电压脉冲施加电路(13a)。
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公开(公告)号：CN101681913A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN100442519C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510125483.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。
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公开(公告)号：CN101548334A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780045014.3
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种针对多个具备随着电压施加而电阻特性发生变化地可变电阻元件的存储器单元、可单独同时执行电阻变化的不同的改写动作的非易失性半导体存储装置。按与同一列的存储器单元公共连接的每个位线(BL0～3)，具备根据使改写对象的可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态向高电阻状态转移的第一改写动作与从高电阻状态向低电阻状态转移的第二改写动作的差异，可单独选择2个负载电阻特性的任一个的负载电阻特性可变电路(14)，具备将第一改写动作中施加的第一电压脉冲和第二改写动作中施加第二电压脉冲，经负载电阻特性可变电路(14)和位线(BL0～3)施加给改写对象的存储器单元的改写电压脉冲施加电路(13a)。
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公开(公告)号：CN1776912A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125483.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。
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