公开(公告)号：CN1257549C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

公开(公告)号：CN1430271A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158814.7

申请日：2002-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口真司 ,  浅津琢郎 ,  小野敦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

公开(公告)号：CN1453863A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。

公开(公告)号：CN1283002C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。