公开(公告)号：CN1734714B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200510091162.1

申请日：2005-08-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川裕之 ,  秋田典孝 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  松村正清

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/447 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。

公开(公告)号：CN1955786B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200610164615.3

申请日：2006-09-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小川裕之 ,  平松雅人

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/00 ,  B23K26/06

CPC classification number: G02B26/06 ,  B23K26/066 ,  G02B5/1857 ,  G02B5/1871 ,  G03F1/34 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686

Abstract: 一种对入射光进行相位调制的移相器(1)，设置有玻璃基板这样的透光性基板(2)和在此透光性基板(2)的激光入射面上对入射光进行相位调制的例如凹凸图形的相位调制部(3)，在相位移相器(1)的上述激光入射面或出射面上设置对此相位调制部(3)的光强度分布减少的周边部光进行遮蔽的遮光部(4)，以便对入射激光的照射面内周边部的光进行遮蔽。