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公开(公告)号：CN111489699B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010376679.X
申请日：2015-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G11C19/28 , G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明提供显示装置及其驱动方法。本发明的显示装置在设定于中止期间内的电流测定期间对数据线(S1～Sm)施加测定用电压，测定从m个像素电路(18)向监测线(M1～Mm)输出的电流后，对上述数据线(S1～Sm)施加与视频信号相应的数据电压。
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公开(公告)号：CN111489699A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010376679.X
申请日：2015-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G11C19/28 , G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明提供显示装置及其驱动方法。本发明的显示装置在设定于中止期间内的电流测定期间对数据线(S1～Sm)施加测定用电压，测定从m个像素电路(18)向监测线(M1～Mm)输出的电流后，对上述数据线(S1～Sm)施加与视频信号相应的数据电压。
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公开(公告)号：CN108029163A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052134.5
申请日：2016-08-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的一个方式的有机电致发光装置包括：在一面侧设置有凹部的基材；至少沿着凹部的表面设置的反射层；隔着反射层填充在凹部的内侧的具有光透射性的填充层；至少设置在填充层的上层侧的具有光透射性的第一电极；设置在第一电极的上层侧的至少包含发光层的有机层；和设置在有机层的上层侧的具有光透射性和光反射性的第二电极，填充层包含至少1种荧光体。
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公开(公告)号：CN104541320A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380040809.0
申请日：2013-07-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 提供即使在输入晶体管的迁移率低的情况下或无法充分确保各扫描线的选择期间的情况下，也能够维持显示品质的像素电路。像素电路(11)包括有机EL元件(OLED)、晶体管(T1～T3)和电容器(C1)。驱动晶体管(T1)的漏极端子与高电平电源线(ELVDD)连接，源极端子与有机EL元件(OLED)的阳极端子连接。第一输入晶体管(T2)的栅极端子与扫描线(Si)连接，第一输入晶体管(T2)设置于数据线(Dj)与驱动晶体管(T1)的栅极端子之间。第二输入晶体管(T3)的栅极端子与第i-1行的扫描线(Si-1)连接，第二输入晶体管(T3)设置于数据线(Dj)与驱动晶体管(T1)的栅极端子之间。电容器(C1)设置于驱动晶体管(T1)的栅极端子与源极端子之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108029178B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201680052234.8
申请日：2016-08-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的一个方式的有机电致发光装置包括：在上表面设置有凹部的基材；和发光元件，该发光元件具有：至少设置在凹部的表面的反射层；隔着反射层填充在凹部的内侧的具有光透射性的填充层；至少设置在填充层的上层侧的具有光透射性的第一电极；设置在第一电极的上层的至少包含发光层的有机层；和设置在有机层的上层侧的具有光透射性的第二电极，显示区域由彼此被分割的多个单位区域构成，具有上述发光元件的上述单位区域具有被划分的发光区域和透射区域。
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公开(公告)号：CN106663404A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043781.5
申请日：2015-07-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3413 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/08 , G09G2320/0242 , G09G2340/0407 , H01L27/1225 , H01L27/3211 , H01L27/3213 , H01L27/3276 , H01L51/5012
Abstract: 本发明的目的在于，在采用分时驱动的显示装置中，不引起显示不良地抑制元件的短寿命化并且与现有技术相比降低消耗电力。在显示模式为高分辨率模式时，通过分时驱动进行图像显示。在显示模式为低分辨率模式时，通过将在扫描信号线延伸的方向上连续地配置的j个像素电路作为一组，在帧期间中在各像素电路仅令一个有机EL元件为发光状态，且在帧期间中在各组所含的j个像素电路使发光颜色相互不同的有机EL元件为发光状态，进行图像显示。此处，显示部内的多个像素电路构成为，在低分辨率模式时在帧期间中成为发光状态的多个有机EL元件的间隔在扫描信号线延伸的方向上为等间隔。
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公开(公告)号：CN105830143A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480067584.2
申请日：2014-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/2018 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G2300/0814 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2310/0262 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/08 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2320/0626 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/5036
Abstract: 本发明的目的在于，在采用由单沟道的TFT形成的栅极驱动电路的显示装置中，实现驱动晶体管的特性的偏差的补偿。在时钟信号(CLK1、CLK2)的脉冲数与表示补偿对象行的补偿对象行地址一致时，以两者一致的时刻(t16)的1水平扫描期间后的时刻(t17)作为电流测定期间的开始时刻，进行以下的控制。在电流测定期间的开始时刻(t17)和结束时刻(t18)，仅使时钟信号(CLK1、CLK2)中被提供给与补偿对象行对应的单位电路的信号的电位变化。在整个电流测定期间，使时钟信号(CLK1～CLK4)的时钟动作停止。仅在电流测定期间使提供给输出控制晶体管的控制端子的监视启用信号(Moni_EN)为高电平，其中，输出控制晶体管控制对监视控制线的有效的信号的输出。
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公开(公告)号：CN102483551B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080040209.0
申请日：2010-09-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 小原将纪
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3651 , G02F1/1362 , G09G3/3688 , G09G2300/0443 , G09G2300/0447 , G09G2300/0823 , G09G2310/0224
Abstract: 本发明的液晶显示装置(100)，包括：第一像素晶体管和第二像素晶体管(130a、130b)；向栅极配线(G)供给栅极信号的栅极驱动器(210)；向第一分支配线(225a)和第二分支配线(225b)供给源极信号的源极驱动器(220)；具有与第一分支配线(225a)电连接的源极和与第一源极配线(Sa)电连接的漏极的第一源极晶体管(180a)；和具有与第二分支配线(225b)电连接的源极和与第二源极配线(Sb)电连接的漏极的第二源极晶体管(180b)。
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公开(公告)号：CN104380368A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380033460.8
申请日：2013-07-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G5/02 , G09G5/18 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供削减了发射驱动器的电路规模的有机EL显示装置。发射驱动器(50)包括与各发射线对应设置的导通控制晶体管(T1e)和关断控制晶体管(T2e)。第i行导通控制晶体管(T1e)，其栅极端子和漏极端子与第i+1行扫描线(Si+1)连接，其源极端子与第i行发射线(EMi)连接。第i行关断控制晶体管(T2e)，其栅极端子与第i－1行扫描线(Si－1)连接，其漏极端子与第i行发射线(EMi)连接，其源极端子与低电平逻辑电源线(VSS)连接。
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