公开(公告)号：CN1713471A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510079415.3

申请日：2005-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 桥本隆宏

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32308

Abstract: 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。

公开(公告)号：CN100359773C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510079415.3

申请日：2005-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 桥本隆宏

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32308

Abstract: 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。

公开(公告)号：CN1617400A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410100551.1

申请日：2004-09-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 桥本隆宏

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/32325 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。

公开(公告)号：CN1622407A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095283.9

申请日：2004-11-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  桥本隆宏 ,  大柜义德 ,  辻井宏行 ,  喜根井聪文 ,  大岛升 ,  兼岩进治

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。

公开(公告)号：CN100346543C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410095283.9

申请日：2004-11-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  桥本隆宏 ,  大柜义德 ,  辻井宏行 ,  喜根井聪文 ,  大岛升 ,  兼岩进治

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。