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公开(公告)号：CN103889087B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310708350.9
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L27/3211 , H01L27/3246
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。
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公开(公告)号：CN102597604B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080050261.4
申请日：2010-11-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02B6/008 , G02B6/0055 , G02B6/0061 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F1/133611 , G02F1/133615 , G02F2001/133601 , G02F2203/023
Abstract: 本发明的目的在于提供将光源集中配置在端部且能部分地控制是否发光的照明装置。本发明的背光源装置(12)具备：并列配置在端部的多个作为光源的LED(17)；导光部(22)，其沿着LED(17)的并列方向(X轴方向)并列配置多个，并且被来自LED(17)的光入射；以及出光部(23)，其沿着与LED(17)的并列方向交叉的方向(Y轴方向)并列配置多个，并且使来自导光部(22)的光出射，在多个出光部(23)中，至少包括：第1出光部(23A)，其相对地配置在LED(17)侧；和第2出光部(23B)，其相对地配置在比第1出光部(23A)靠与LED(17)侧相反的一侧(中央侧)，而在多个导光部(22)中，包括：第1导光部(22A)，其与第1出光部(23A)光学连接；和第2导光部(22B)，其与第2出光部(23B)光学连接。
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公开(公告)号：CN103985732B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410045551.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
Abstract: 本发明的目的之一是提高应用了微腔结构的发光装置的发光效率。该发光装置的特征在于：在包括多个发光元件的发光装置中，所述多个发光元件的每一个具有依次层叠有反射电极、透明电极、多个发光层以及半透射半反射电极的结构，所述多个发光层的每一个分别发射颜色不同的光，而增强来自在所述多个发光元件中的设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的发光元件中的透明电极的表面粗糙度比其他发光元件中的透明电极的表面粗糙度大。
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公开(公告)号：CN104428439A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380035621.7
申请日：2013-04-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C16/042 , C23C14/042 , C23C16/44 , H01L51/0011 , C23C14/04 , C23C14/24 , H05B33/10
Abstract: 掩模单元(1)在俯视时Y方向上没有被梁部(22)覆盖的开口部(S)的开口长度总和在X方向的任意位置均相等，梁部(22)的与蒸镀掩模(10)接触的部分不沿着Y方向架在框部(21)上，而连续或断续地横切Y方向。
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公开(公告)号：CN103889087A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310708350.9
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L27/3211 , H01L27/3246
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887443A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310708062.3
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个方式抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极；第二下部电极；隔壁；导电性高的层；发光层；以及上部电极，其中，导电性高的层的导电性高于发光层且低于第一下部电极及上部电极的每一个，隔壁具有位于第一下部电极一侧的第一斜面及位于第二下部电极一侧的第二斜面，关于位于第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。
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公开(公告)号：CN103781215B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201310487747.X
申请日：2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/36 , H01L27/3209 , H01L27/3246 , H01L51/5044 , H01L51/525
Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。
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公开(公告)号：CN104428439B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201380035621.7
申请日：2013-04-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C16/042 , C23C14/042 , C23C16/44 , H01L51/0011
Abstract: 掩模单元在俯视时Y方向上没有被梁部覆盖的开口部的开口长度总和在X方向的任意位置均相等，梁部的与蒸镀掩模接触的部分不沿着Y方向架在框部上，而连续或断续地横切Y方向。
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公开(公告)号：CN103985732A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410045551.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
Abstract: 本发明的目的之一是提高应用了微腔结构的发光装置的发光效率。该发光装置的特征在于：在包括多个发光元件的发光装置中，所述多个发光元件的每一个具有依次层叠有反射电极、透明电极、多个发光层以及半透射半反射电极的结构，所述多个发光层的每一个分别发射颜色不同的光，而增强来自在所述多个发光元件中的设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的发光元件中的透明电极的表面粗糙度比其他发光元件中的透明电极的表面粗糙度大。
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公开(公告)号：CN103887443B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310708062.3
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个方式抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极；第二下部电极；隔壁；导电性高的层；发光层；以及上部电极，其中，导电性高的层的导电性高于发光层且低于第一下部电极及上部电极的每一个，隔壁具有位于第一下部电极一侧的第一斜面及位于第二下部电极一侧的第二斜面，关于位于第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。
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