公开(公告)号：CN113120854B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202110235018.X

申请日：2021-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周嘉 ,  王续博 ,  刘安 ,  任俊彦 ,  马有草

IPC: B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列，PMUT单元包括依次叠层的基底(1)、电隔离层(2)、下电极(3)、压电层(4)、上电极从其底部沿轴向向上开设有一盲孔式空腔形成背腔，所述的背腔中填充背衬材料(8)。PMUT阵列包括若干按行列依次排列的PMUT单元。与现有技术相比，本发明背衬结构可以将PMUT阵列带宽提高一倍以上，并且同时满足相控阵对单元间距的要求。(5)、钝化层(6)和引线层(7)，所述的基底(1)上

公开(公告)号：CN113120854A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110235018.X

申请日：2021-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周嘉 ,  王续博 ,  刘安 ,  任俊彦 ,  马有草

IPC: B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列，PMUT单元包括依次叠层的基底(1)、电隔离层(2)、下电极(3)、压电层(4)、上电极(5)、钝化层(6)和引线层(7)，所述的基底(1)上从其底部沿轴向向上开设有一盲孔式空腔形成背腔，所述的背腔中填充背衬材料(8)。PMUT阵列包括若干按行列依次排列的PMUT单元。与现有技术相比，本发明背衬结构可以将PMUT阵列带宽提高一倍以上，并且同时满足相控阵对单元间距的要求。