公开(公告)号：CN1558267A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410016099.0

申请日：2004-02-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许春 ,  资剑 ,  刘晓晗 ,  傅荣堂 ,  贾武林 ,  韩德专 ,  李乙洲

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ωc，从而对TE波的ε(ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε(ω)函数中不含ωc项，也就意味着和磁场无关；因此，当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时，可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。

公开(公告)号：CN1332239C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410016099.0

申请日：2004-02-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许春 ,  资剑 ,  刘晓晗 ,  傅荣堂 ,  贾武林 ,  韩德专 ,  李乙洲

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ωc，从而对TE波的ε(ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε(ω)函数中不含ωc项，也就意味着和磁场无关；因此，当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时，可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。