一种调节二维光子晶体禁带的方法

    公开(公告)号:CN1558267A

    公开(公告)日:2004-12-29

    申请号:CN200410016099.0

    申请日:2004-02-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知,对于二维光子晶体结构,外加磁场B可以改变共振频率ωc,从而对TE波的ε(ω)函数产生影响,而对于TM传播态,由于ε(ω)函数中不含ωc项,也就意味着和磁场无关;因此,当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时,可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布,从而调节二维光子晶体禁带。

    一种调节二维光子晶体禁带的方法

    公开(公告)号:CN1332239C

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200410016099.0

    申请日:2004-02-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知,对于二维光子晶体结构,外加磁场B可以改变共振频率ωc,从而对TE波的ε(ω)函数产生影响,而对于TM传播态,由于ε(ω)函数中不含ωc项,也就意味着和磁场无关;因此,当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时,可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布,从而调节二维光子晶体禁带。

    单负介质材料谐振腔
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1558478A

    公开(公告)日:2004-12-29

    申请号:CN200410016098.6

    申请日:2004-02-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明为一种能够克服半波极限并且谐振模式单一的谐振腔。具体由两种单负介质板拼合组成,一种介质ε为负值μ为正,另一种介质μ为负值ε为正,外侧有全反射镜,两块介质板的长度分别为d1和d2。根据相应理论,这种谐振腔是单模的,而且λ0仅和d2/d1有关,和d1或d2的绝对长度无关,这意味着对于特定的λ0,只需确定的d2/d1,而无需满足d1+d2必须大于等于λ0/2,从而突破了半波极限。

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