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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1332239C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410016099.0
申请日：2004-02-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ωc，从而对TE波的ε(ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε(ω)函数中不含ωc项，也就意味着和磁场无关；因此，当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时，可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。
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公开(公告)号：CN1558266A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410016097.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种调节光子晶体禁带位置的方法，适用的光子晶体结构中有一种介质为空气。当需要变化禁带位置时，向光子晶体结构中填充具有不同介电常常数的液体，如水ε＝1.77，甘油ε＝2.25，液体将占据原来空气的位置，因此光子晶结构的构成发生改变，ε随空间变化的函数发生改变，因此其禁带位置也就发生了改变。需要调整到什么波段，只需填充相应ε值的液体，由于计算方法已经发展的很成熟，因此该结构的各种参数和填充液体的介电常数都能够预先确定。换到其他波段时，只需排干原先的液体然后再填充具有其他介电常数的液体。
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公开(公告)号：CN1558267A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410016099.0
申请日：2004-02-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ωc，从而对TE波的ε(ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε(ω)函数中不含ωc项，也就意味着和磁场无关；因此，当沿着二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场时，可改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。
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公开(公告)号：CN1325947C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410016097.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种调节光子晶体禁带位置的方法，适用的光子晶体结构中有一种介质为空气。当需要变化禁带位置时，向光子晶体结构中填充具有不同介电常常数的液体，如水ε＝1.77，甘油ε＝2.25，液体将占据原来空气的位置，因此光子晶结构的构成发生改变，ε随空间变化的函数发生改变，因此其禁带位置也就发生了改变。需要调整到什么波段，只需填充相应ε值的液体，由于计算方法已经发展的很成熟，因此该结构的各种参数和填充液体的介电常数都能够预先确定。换到其他波段时，只需排干原先的液体然后再填充具有其他介电常数的液体。
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公开(公告)号：CN1558478A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410016098.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01S3/08
Abstract: 本发明为一种能够克服半波极限并且谐振模式单一的谐振腔。具体由两种单负介质板拼合组成，一种介质ε为负值μ为正，另一种介质μ为负值ε为正，外侧有全反射镜，两块介质板的长度分别为d1和d2。根据相应理论，这种谐振腔是单模的，而且λ0仅和d2/d1有关，和d1或d2的绝对长度无关，这意味着对于特定的λ0，只需确定的d2/d1，而无需满足d1+d2必须大于等于λ0/2，从而突破了半波极限。
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