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公开(公告)号：CN113125474B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110295694.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。
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公开(公告)号：CN117030755A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311252525.X
申请日：2023-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N23/20033
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中施加原位温度梯度场的方法，包括以下步骤：(1)将装载待测微纳样品的测试芯片与原位样品杆固定，并使得待测微纳样品与样品杆形成通路；(2)将原位样品杆插入透射电子显微镜中，并连接外加直流源；(3)往测试芯片中通入预设好的直流电流，形成焦耳热并热传导至待测微纳样品上，即实现对待测微纳样品施加原位温度梯度场。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对待测样品施加温度梯度场，具有加工简单，升温度范围广，可实时、实空间观察等优点。
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公开(公告)号：CN118098911A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410285650.9
申请日：2024-03-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01J37/05 , H01J37/147
Abstract: 本发明涉及一种带电粒子束光学系统的束分离装置，包括：金属壳体；八个布置在所述金属壳体内并围绕一个共同圆心的金属电极，其中，相邻的三个金属电极连成一个整体并作为正极，与所述正极位置相对的另外三个金属电极连成一个整体并作为负极，其余两个金属电极作为中性极，所述正极与负极配置成在施加电压后在所述金属电极之间产生电场，所述金属电极还作为磁极，并配置成产生与所述电场方向垂直的磁场；励磁线圈，其用于产生所述磁场；屏蔽板，其安装在所述金属壳体的顶面和底面，中心加工有供带电粒子束穿过的圆孔。采用本发明所述粒子束分离器，可用于分离电子显微镜中的二次电子束，且不会对初级电子束的聚焦性能产生明显的负面影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113126010A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110295087.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种用于测量磁性材料自旋极化率的方法，先利用原位洛伦兹透射电子显微镜测试技术测得磁性材料在脉冲电流Iexp作用下磁畴壁的实际运动速度vexp，再利用微磁学模拟计算出相同磁性材料的磁畴壁在完全自旋极化电流作用下Ithe下的理论运动速度vthe，再通过实际与理论之间的数据对比，即计算得出该磁性材料的自旋极化率P。对比传统利用同步辐射和磁圆二色性的自旋极化率测试方法，本发明更加简易、方便，对未来新型磁性材料的自旋极化率分析提供了更便捷的技术方法。
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公开(公告)号：CN113126010B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110295087.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种用于测量磁性材料自旋极化率的方法，先利用原位洛伦兹透射电子显微镜测试技术测得磁性材料在脉冲电流Iexp作用下磁畴壁的实际运动速度vexp，再利用微磁学模拟计算出相同磁性材料的磁畴壁在完全自旋极化电流作用下Ithe下的理论运动速度vthe，再通过实际与理论之间的数据对比，即计算得出该磁性材料的自旋极化率P。对比传统利用同步辐射和磁圆二色性的自旋极化率测试方法，本发明更加简易、方便，对未来新型磁性材料的自旋极化率分析提供了更便捷的技术方法。
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公开(公告)号：CN113125475B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110295996.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N19/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，基于自主设计的原位四电极电学芯片，利用聚焦离子束刻蚀加工技术，将测试材料与典型压电晶体材料组装成微米级条带；使用聚焦离子束中沉积的铂连接测试材料与芯片上的两个电极，也将另外两个电极连接到压电陶瓷材料两端；使用原位样品杆将测试样品放入透射电镜中，对压电晶体施加电压，利用其特有的压电效应实现对测试样品定量施加压应力/拉应力，同时记录应力对于测试材料电学性能、电化学性能、磁学性能等影响。该方法制备样品简单，施加应力精确可控，可同时对样品施加拉应力和压应力，具有很好的普适性，为研究材料中应力与性能之间的关联性提供新的方法。
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公开(公告)号：CN113125475A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110295996.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N19/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，基于自主设计的原位四电极电学芯片，利用聚焦离子束刻蚀加工技术，将测试材料与典型压电晶体材料组装成微米级条带；使用聚焦离子束中沉积的铂连接测试材料与芯片上的两个电极，也将另外两个电极连接到压电陶瓷材料两端；使用原位样品杆将测试样品放入透射电镜中，对压电晶体施加电压，利用其特有的压电效应实现对测试样品定量施加压应力/拉应力，同时记录应力对于测试材料电学性能、电化学性能、磁学性能等影响。该方法制备样品简单，施加应力精确可控，可同时对样品施加拉应力和压应力，具有很好的普适性，为研究材料中应力与性能之间的关联性提供新的方法。
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公开(公告)号：CN113125474A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110295694.6
申请日：2021-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。
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