公开(公告)号：CN113126010A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110295087.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 车仁超 ,  张瑞轩 ,  裴科 ,  王龙圆 ,  张捷

IPC: G01R33/12 ,  G01N27/72

Abstract: 本发明涉及一种用于测量磁性材料自旋极化率的方法，先利用原位洛伦兹透射电子显微镜测试技术测得磁性材料在脉冲电流Iexp作用下磁畴壁的实际运动速度vexp，再利用微磁学模拟计算出相同磁性材料的磁畴壁在完全自旋极化电流作用下Ithe下的理论运动速度vthe，再通过实际与理论之间的数据对比，即计算得出该磁性材料的自旋极化率P。对比传统利用同步辐射和磁圆二色性的自旋极化率测试方法，本发明更加简易、方便，对未来新型磁性材料的自旋极化率分析提供了更便捷的技术方法。

公开(公告)号：CN113126010B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110295087.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 车仁超 ,  张瑞轩 ,  裴科 ,  王龙圆 ,  张捷

IPC: G01R33/12 ,  G01N27/72

Abstract: 本发明涉及一种用于测量磁性材料自旋极化率的方法，先利用原位洛伦兹透射电子显微镜测试技术测得磁性材料在脉冲电流Iexp作用下磁畴壁的实际运动速度vexp，再利用微磁学模拟计算出相同磁性材料的磁畴壁在完全自旋极化电流作用下Ithe下的理论运动速度vthe，再通过实际与理论之间的数据对比，即计算得出该磁性材料的自旋极化率P。对比传统利用同步辐射和磁圆二色性的自旋极化率测试方法，本发明更加简易、方便，对未来新型磁性材料的自旋极化率分析提供了更便捷的技术方法。