公开(公告)号：CN113451428A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110720224.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁士进 ,  裴俊翔 ,  吴小晗 ,  张卫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34 ,  G11C11/42

Abstract: 本发明提供了一种双半浮栅光电存储器，包括栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源沟道层、源电极和漏电极；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，设置于所述第一电荷俘获层上表面的所述电荷隧穿层的厚度大于设置于所述第二电荷俘获层的上表面的所述电荷隧穿层的厚度，使得在没有单色光光照条件时所述双半浮栅光电存储器就能具有电脉冲编程特性，在不同波长光照下所述第一电荷俘获层和所述第二电荷俘获层产生不同的阈值电压，且随着栅极脉冲电压的增加产生的阈值电压都是随之增加，且具有多级存储特性和较好的数据保持特性，以及较好的编程耐受性和擦除耐受性。本发明还提供了所述双半浮栅光电存储器的制备工艺。

公开(公告)号：CN111009582A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201911332415.8

申请日：2019-12-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  裴俊翔 ,  吴小晗 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/34 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。制备方法包括：将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，控制沉积腔温度；低温原子层沉积制备氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器。本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。

公开(公告)号：CN113451428B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110720224.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁士进 ,  裴俊翔 ,  吴小晗 ,  张卫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34 ,  G11C11/42

Abstract: 本发明提供了一种双半浮栅光电存储器，包括栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源沟道层、源电极和漏电极；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，设置于所述第一电荷俘获层上表面的所述电荷隧穿层的厚度大于设置于所述第二电荷俘获层的上表面的所述电荷隧穿层的厚度，使得在没有单色光光照条件时所述双半浮栅光电存储器就能具有电脉冲编程特性，在不同波长光照下所述第一电荷俘获层和所述第二电荷俘获层产生不同的阈值电压，且随着栅极脉冲电压的增加产生的阈值电压都是随之增加，且具有多级存储特性和较好的数据保持特性，以及较好的编程耐受性和擦除耐受性。本发明还提供了所述双半浮栅光电存储器的制备工艺。

公开(公告)号：CN111009582B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201911332415.8

申请日：2019-12-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  裴俊翔 ,  吴小晗 ,  张卫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/34 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。制备方法包括：将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，控制沉积腔温度；低温原子层沉积制备氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器。本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。