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公开(公告)号：CN114050219A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111398396.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种二极管型光电传感器，包括基底、钙钛矿薄膜层、有机物半导体层和电极；所述钙钛矿薄膜层设置于所述基底的部分上表面，所述钙钛矿薄膜层采用化学气相蒸镀法制备而成，且所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯，所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1；所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的上表面，所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的上表面；所述电极包括正极和负极，使得解决了现有技术中的二极管型光电传感器制备工艺复杂且容易漏电，暗电流较大，只能实现对光的强度检测而不能获得光的颜色信息的问题。本发明还提供一种二极管型光电传感器的制备方法。
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公开(公告)号：CN113451428A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110720224.X
申请日：2021-06-28
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L29/423 , H01L29/792 , H01L31/18 , H01L21/28 , H01L21/34 , G11C11/42
Abstract: 本发明提供了一种双半浮栅光电存储器，包括栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源沟道层、源电极和漏电极；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，设置于所述第一电荷俘获层上表面的所述电荷隧穿层的厚度大于设置于所述第二电荷俘获层的上表面的所述电荷隧穿层的厚度，使得在没有单色光光照条件时所述双半浮栅光电存储器就能具有电脉冲编程特性，在不同波长光照下所述第一电荷俘获层和所述第二电荷俘获层产生不同的阈值电压，且随着栅极脉冲电压的增加产生的阈值电压都是随之增加，且具有多级存储特性和较好的数据保持特性，以及较好的编程耐受性和擦除耐受性。本发明还提供了所述双半浮栅光电存储器的制备工艺。
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公开(公告)号：CN111009582A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911332415.8
申请日：2019-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/34 , G11C13/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。制备方法包括：将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，控制沉积腔温度；低温原子层沉积制备氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器。本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。
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公开(公告)号：CN113429605B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110720204.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: C08J5/18 , C08G61/12 , C08L65/00 , C23C16/455 , G01N27/00
Abstract: 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法，包括步骤：S0：将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中；S1：向所述反应腔体中通入第一混合反应气体，所述第一混合反应气体包括第一前驱体；S2：向所述反应腔体中通入第二混合反应气体，所述第二混合反应气体包括第二前驱体，使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物；S3：循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2，直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度，使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控，可以精确到纳米级别，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113429605A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110720204.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: C08J5/18 , C08G61/12 , C08L65/00 , C23C16/455 , G01N27/00
Abstract: 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法，包括步骤：S0：将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中；S1：向所述反应腔体中通入第一混合反应气体，所述第一混合反应气体包括第一前驱体；S2：向所述反应腔体中通入第二混合反应气体，所述第二混合反应气体包括第二前驱体，使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物；S3：循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2，直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度，使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控，可以精确到纳米级别，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。
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公开(公告)号：CN116130540A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211680390.2
申请日：2022-12-26
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光探测器技术领域，具体为一种基于带隙递变半导体薄膜的颜色感知器件及其制备方法。本发明颜色感知器件包括两个分立器件，输出两个信号；器件1使用带隙递变半导体薄膜作为光敏层，输出信号与光信号的光子能量和光通量有关；器件2使用较窄带隙半导体薄膜作为光敏层，输出信号仅与光信号的光通量有关；结合两个信号，得到光信号的平均光子能量即平均波长，实现颜色感知。本发明可缩减制备流程与成本；通过改变光敏层中半导体元素比例，进行带隙递变半导体薄膜制备，实现较宽波长范围的光信号响应；利用原子层沉积精细控制特性对递变梯度进行调制，实现更精细的颜色分辨。本发器件可用于光探测、智能传感以及物联网等领域。
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公开(公告)号：CN115472199A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211205117.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为氧化物半导体半浮栅晶体管存储器及其编程擦除和读取方法。本发明存储器单元在p型浮栅晶体管（p‑FGT）的栅介质层中嵌入n型氧化物半导体薄膜，该氧化物半导体薄膜与p‑FGT的漏极相连，同时连接p‑FGT的浮栅，并通过共用p‑FGT的栅极和部分栅介质，形成嵌入在p‑FGT栅介质中的n型氧化物半导体薄膜晶体管（n‑OSTFT）。该存储器具有非易失性。该存储器单元可以采用NOR架构电路或者NAND架构电路来构建存储器芯片，两种架构下均可实现擦写与读取操作。本发明所公开的存储器与现有商用存储器的工艺及架构的兼容性好、擦写速度快、存储时间长，具有切实且广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113690370A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111082665.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明提供了一种能量存储电容器，包括衬底、绝缘层、底层电极、铁电薄膜、反铁电薄膜和顶层电极。所述衬底开设有第一沟槽结构，所述绝缘层覆盖所述第一沟槽结构的内壁和顶面以形成第二沟槽结构；所述底层电极、所述铁电薄膜、所述反铁电薄膜和所述顶层电极顺次堆叠设置于所述第二沟槽结构，以形成不同的沟槽结构，相邻两个所述沟槽结构的一个沟槽结构覆盖另一个沟槽结构的内壁和顶面，提升了最大极化强度和击穿电场强度，从而使得电介质电容器的储能密度得以提升。本发明还提供了所述能量存储电容器的制备方法。
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公开(公告)号：CN110416312B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910653176.X
申请日：2019-07-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法，晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源‑漏电极，源‑漏电极设置在栅介质层的上表面，导电沟道位于源‑漏电极的上表面及两侧，在源‑漏电极的上表面形成沟道。与现有技术相比，本发明具有法焦级别的超低功耗；不同的介质层制备温度可以实现数毫秒到数千秒可调的记忆时间；同时全无机材料的使用使器件的稳定性得到了很大的提高；该低功耗神经突触薄膜晶体管的柔性和突触性能可用于柔性电子和大规模神经形态电路系统。
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