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公开(公告)号：CN116685193A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310687424.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电面内极化栅控效应的忆阻器及其制备方法和应用，通过铁电面内极化对半导体层进行非对称掺杂，引发对器件电导值及自驱动光响应的调控。该器件能够通过铁电极化的方向与程度，实现自整流、多级电导态和多级自驱动光响应，具有低功耗、非易失性、易于实施等优点，可应用于人工智能技术的存储器内计算和传感器内计算。
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