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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104333329B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410501392.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体为一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器电路。该电路由谐波发生器、旁路电流源和注入锁定振荡器组成。谐波发生器由一对NMOS管构成，利用MOS管的非线性特性，输入频率为的基频信号，产生三次谐波信号3注入振荡器；旁路电流源由一对PMOS管构成，其栅端偏置于合适的直流电压，作为直流电流源，对振荡器进行合适的分流，提高了谐波注入效率；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、电容、数字控制电容阵列组成，其中心频率在 3附近。本发明提高了谐波注入效率，在基本不增加功耗的情况下，相较于传统的注入锁定三倍频器，极大地扩展了锁定范围。
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公开(公告)号：CN104333329A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410501392.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体为一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器电路。该电路由谐波发生器、旁路电流源和注入锁定振荡器组成。谐波发生器由一对NMOS管构成，利用MOS管的非线性特性，输入频率为的基频信号，产生三次谐波信号3注入振荡器；旁路电流源由一对PMOS管构成，其栅端偏置于合适的直流电压，作为直流电流源，对振荡器进行合适的分流，提高了谐波注入效率；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、电容、数字控制电容阵列组成，其中心频率在3附近。本发明提高了谐波注入效率，在基本不增加功耗的情况下，相较于传统的注入锁定三倍频器，极大地扩展了锁定范围。
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公开(公告)号：CN101284667B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810038215.7
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米管。该方法制备硅纳米管工艺简单，设备廉价，并且硅纳米管的晶体结构完整，能够满足工业要求。硅纳米管的成功制备不仅为将来其广泛应用于纳米电子器件提供了实物基础，也进一步从实验角度验证了硅纳米管的理论研究。
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公开(公告)号：CN101284667A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810038215.7
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米管。该方法制备硅纳米管工艺简单，设备廉价，并且硅纳米管的晶体结构完整，能够满足工业要求。硅纳米管的成功制备不仅为将来其广泛应用于纳米电子器件提供了实物基础，也进一步从实验角度验证了硅纳米管的理论研究。
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公开(公告)号：CN101280415A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810038216.1
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种硅纳米线表面镀镍的方法，即采用3～5％HF剔除氧化物辅助生长的硅纳米线表面硅氧层，以氩离子溅射装置为溅射设备，在硅纳米线表面实现了镍的表面金属化过程，在一定温度下进行退火，得到了性能及结构更好的、由金属镍薄膜包覆单晶硅内核的纳米线结构。硅纳米线表面镀镍后其电阻率将大大降低，使得硅纳米线与金属电极能够实现有效欧姆接触，减小接触电阻，此外这种镀镍的高电导率纳米线在将来的互连技术中也有广阔的应用前景。
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