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发明公开
一种硅纳米线表面镀镍的方法无效

公开(公告)号：CN101280415A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810038216.1

申请日：2008-05-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江素华 , 陈扬文 , 邵丙铣 , 王炜 , 戎瑞芬 , 顾志光 , 汪荣昌

IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58

Abstract: 本发明是一种硅纳米线表面镀镍的方法，即采用3～5％HF剔除氧化物辅助生长的硅纳米线表面硅氧层，以氩离子溅射装置为溅射设备，在硅纳米线表面实现了镍的表面金属化过程，在一定温度下进行退火，得到了性能及结构更好的、由金属镍薄膜包覆单晶硅内核的纳米线结构。硅纳米线表面镀镍后其电阻率将大大降低，使得硅纳米线与金属电极能够实现有效欧姆接触，减小接触电阻，此外这种镀镍的高电导率纳米线在将来的互连技术中也有广阔的应用前景。

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