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公开(公告)号：CN109801921A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041497.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于双极性二维材料来构筑双栅结构非易失性电荷陷阱存储器。本发明利用双极性二维材料作为沟道材料，应用双栅结构调控沟道载流子的极性，来实现动态可配置的多级单元存储器。本发明制备过程，包括先在衬底上利用物理机械剥离或者化学气相沉积获得作为沟道的双极性二维材料，然后利用原子层沉积生长顶栅介电层作为电荷捕获层和电荷阻挡层，以及采用光刻工艺形成特定的金属电极。本发明通过双栅电压调控实现了动态可配置的多级单元存储，不再受限于传统电荷陷阱存储器固定的器件特性工作模式，在未来的数据存储和神经形态计算的新型领域具有广阔的应用前景。
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