公开(公告)号：CN110129730A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910474490.1

申请日：2019-06-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  罗杰 ,  崔晓莉 ,  李忠 ,  尹延林

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C25D11/26 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明涉及一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法先后采用磁控溅射法和阳极氧化技术，钼掺杂浓度通过溅射靶的钼、钛的原子浓度比来调节，纳米管尺寸和长度由阳极氧化技术控制；具体步骤为：清洗基板；在清洗后的基板上使用磁控溅射法沉积MoTi合金膜；控制基板温度为室温~300℃；采1.7用~1氩77气 k，W控/制m真2；将空制室备内得气到压的为M0.o1~T2i.合5 金Pa膜，溅在电射功解率液密中度采为用阳极氧化技术得到钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜；将钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜进行退火处理。本发明方法具有工业生产前景，实验重复性好，是一种制备优异光电转换性的Mo掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的新方法。