公开(公告)号：CN103439248B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310261083.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  翟歆铎 ,  张兆强 ,  肖斐

IPC: G01N19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。

公开(公告)号：CN109317859B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201811307559.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张兆强 ,  亓恬珂 ,  肖斐

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，公开了一种纳米铜焊膏、其制备方法以及利用该种纳米铜焊膏实现铜‑铜键合的方法。本发明所提供的纳米铜焊膏，以质量百分含量计包含纳米铜颗粒50～90％，醇胺5～25％，粘度调节剂0～45％。使用本发明所提供的纳米铜焊膏进行铜‑铜键合，不但可降低烧结温度，还可避免纳米铜颗粒的氧化和团聚；在200℃空气气氛中即可完成烧结并得到具有较高剪切强度的铜‑铜互连结构。

公开(公告)号：CN103472265A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310392943.9

申请日：2013-09-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张兆强 ,  庞钧文 ,  王珺

IPC: G01Q30/20

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污，也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果，同时降低了观测设备的成本，提高观测结果的分辨率。

公开(公告)号：CN103439248A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310261083.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  翟歆铎 ,  张兆强 ,  肖斐

IPC: G01N19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。

公开(公告)号：CN103472265B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201310392943.9

申请日：2013-09-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张兆强 ,  庞钧文 ,  王珺

IPC: G01Q30/20

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污，也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果，同时降低了观测设备的成本，提高观测结果的分辨率。

公开(公告)号：CN109317859A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811307559.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张兆强 ,  亓恬珂 ,  肖斐

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，公开了一种纳米铜焊膏、其制备方法以及利用该种纳米铜焊膏实现铜-铜键合的方法。本发明所提供的纳米铜焊膏，以质量百分含量计包含纳米铜颗粒50～90％，醇胺5～25％，粘度调节剂0～45％。使用本发明所提供的纳米铜焊膏进行铜-铜键合，不但可降低烧结温度，还可避免纳米铜颗粒的氧化和团聚；在200℃空气气氛中即可完成烧结并得到具有较高剪切强度的铜-铜互连结构。