观测TSV铜晶粒的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103472265A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310392943.9

    申请日:2013-09-02

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中,采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理;采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀;观察电镀铜剖面,最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污,也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果,同时降低了观测设备的成本,提高观测结果的分辨率。

    测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法

    公开(公告)号:CN103424293A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310261070.8

    申请日:2013-06-26

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王珺 庞钧文 戴维

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法。本发明中,腐蚀埋藏有TSV铜柱的硅片,直至形成TSV铜柱悬臂梁结构;选择用于测量弯曲模量和屈服应力的TSV铜柱,去除多余的TSV铜柱,形成单根或单排的TSV铜柱;在所述用于测量的TSV铜柱的顶端施加横向压力,并记录对TSV铜柱横向施加的压力P、TSV铜柱弯曲的位移δ、施压点到TSV铜柱根部的距离L;根据记录的数据计算TSV铜柱弯曲模量和屈服应力。达到样品制备简单、测试精度高,测试简单快捷等效果。

    一种封装器件的应力检测方法

    公开(公告)号:CN103185650B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201110458129.3

    申请日:2011-12-31

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王珺 庞钧文

    Abstract: 本发明提供一种检测电子封装器件内部应力的方法,在封装再布线层(RDL)工艺中制备规则形状的孔洞结构,然后通过X射线(X‑Ray)检测封装器件内部规则形状孔洞结构的变形,进而分析得到内部应力。该方法属于无损检测,与封装工艺兼容,成本低,速度快,对封装器件功能无损害,且检测精度高,可被广泛适用。

    一种封装器件的应力检测方法

    公开(公告)号:CN103185650A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201110458129.3

    申请日:2011-12-31

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王珺 庞钧文

    Abstract: 本发明提供一种检测电子封装器件内部应力的方法,在封装再布线层(RDL)工艺中制备规则形状的孔洞结构,然后通过X射线(X-Ray)检测封装器件内部规则形状孔洞结构的变形,进而分析得到内部应力。该方法属于无损检测,与封装工艺兼容,成本低,速度快,对封装器件功能无损害,且检测精度高,可被广泛适用。

    观测TSV铜晶粒的方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103472265B

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201310392943.9

    申请日:2013-09-02

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中,采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理;采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀;观察电镀铜剖面,最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污,也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果,同时降低了观测设备的成本,提高观测结果的分辨率。

    测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法

    公开(公告)号:CN103424293B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201310261070.8

    申请日:2013-06-26

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王珺 庞钧文 戴维

    Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法。本发明中,腐蚀埋藏有TSV铜柱的硅片,直至形成TSV铜柱悬臂梁结构;选择用于测量弯曲模量和屈服应力的TSV铜柱,去除多余的TSV铜柱,形成单根或单排的TSV铜柱;在所述用于测量的TSV铜柱的顶端施加横向压力,并记录对TSV铜柱横向施加的压力P、TSV铜柱弯曲的位移δ、施压点到TSV铜柱根部的距离L;根据记录的数据计算TSV铜柱弯曲模量和屈服应力。达到样品制备简单、测试精度高,测试简单快捷等效果。

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