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公开(公告)号:CN103424293A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310261070.8
申请日:2013-06-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法。本发明中,腐蚀埋藏有TSV铜柱的硅片,直至形成TSV铜柱悬臂梁结构;选择用于测量弯曲模量和屈服应力的TSV铜柱,去除多余的TSV铜柱,形成单根或单排的TSV铜柱;在所述用于测量的TSV铜柱的顶端施加横向压力,并记录对TSV铜柱横向施加的压力P、TSV铜柱弯曲的位移δ、施压点到TSV铜柱根部的距离L;根据记录的数据计算TSV铜柱弯曲模量和屈服应力。达到样品制备简单、测试精度高,测试简单快捷等效果。
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公开(公告)号:CN103424293B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201310261070.8
申请日:2013-06-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及微电子领域,公开了一种测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法。本发明中,腐蚀埋藏有TSV铜柱的硅片,直至形成TSV铜柱悬臂梁结构;选择用于测量弯曲模量和屈服应力的TSV铜柱,去除多余的TSV铜柱,形成单根或单排的TSV铜柱;在所述用于测量的TSV铜柱的顶端施加横向压力,并记录对TSV铜柱横向施加的压力P、TSV铜柱弯曲的位移δ、施压点到TSV铜柱根部的距离L;根据记录的数据计算TSV铜柱弯曲模量和屈服应力。达到样品制备简单、测试精度高,测试简单快捷等效果。
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