公开(公告)号：CN103439248A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310261083.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  翟歆铎 ,  张兆强 ,  肖斐

IPC: G01N19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。

公开(公告)号：CN103439248B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310261083.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  翟歆铎 ,  张兆强 ,  肖斐

IPC: G01N19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。