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公开(公告)号：CN101241867A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810034540.6
申请日：2008-03-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体芯片封装测试技术领域，具体为一种提高芯片抗电过应力能力的方法。本发明采用优化的芯片焊接温度－时间曲线，具体而言是提高焊接最高温度到363－365℃，延长焊料熔融时间到38－40分钟，降低焊后降温速率到8.5－9.0℃，得到无焊料空洞器件.采用开式感应负载测试方法，比较芯片焊接工艺优化前、后其抗电过应力的能力。结果表明，本发明方法能有效提高芯片抗电过应力的能力，具有重要的应用价值。
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