公开(公告)号：CN119463690A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411508064.2

申请日：2024-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘恺欣 ,  马凤阳 ,  俞亮 ,  闫仲尧 ,  陆明

IPC: C09D183/04 ,  C09K11/59 ,  C09K11/79 ,  C09K11/02 ,  C09D5/32 ,  C09D5/22

Abstract: 本发明属于光通信技术领域，具体为一种高浓度铒元素掺杂的高亮度通信波段硅基发光薄膜及其制备方法。本发明以HSQ为溶剂，以硝酸铒五水合物为铒元素的来源，并通过镱离子和独立硅量子点的共掺杂，经搅拌、旋涂、高温退火后，得到高亮度的掺铒硅基发光薄膜。HSQ光刻胶作为硅纳米晶薄膜制备的前驱体材料，掺杂铒元素后经高温退火，所形成的薄膜中含有大量硅纳米晶。硅纳米晶作为能量传递过程的敏化剂，吸收入射光子能量之后再传递并激活铒离子，实现发射中心波长位于1.54μm的光致发光。本发明避免了离子注入法产生的大量缺陷，也无需维持高真空度，所制成的掺铒薄膜具有作为铒发光敏化剂的硅纳米晶浓度高的特点，并且制备步骤简单、操作安全。