-
-
公开(公告)号:CN102231420A
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN201110177149.3
申请日:2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明属于材料发光技术领域,具体为一种往硅纳米晶薄膜引入额外成核点的方法。其步骤包括:在P-Si衬底上蒸镀SiOx薄膜;进行激光预退火;进行传统的高温定碳炉退火。本发明通过激光预退火,往SiOx薄膜引进额外的发光成核点,并利用发光成核点在后续的高温定碳炉退火中抑制硅大颗粒的聚集,形成更多可以发光的硅纳米晶。本发明方法可以调制纳晶硅薄膜的光致发光和电致发光强度,为研究硅基光电集成的实用光源开辟新的路径。
-