公开(公告)号：CN1194060A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN96196432.4

申请日：1996-08-19

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 吾妻正道 ,  卡洛斯·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C18/14 ,  C04B35/62227 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/314 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种MIS器件(20)包括半导体基板(22)、氮化硅缓冲层(24)、铁电体金属氧化物超晶格材料(26)、和贵金属顶电极(28)。该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。该层状超晶格材料优选采用在该前体溶液被加热时自发生成层状超晶格的液体聚烷氧化金属有机前体来沉积。在干燥前体液体期间的UV曝露使最终的晶体具有C－轴取向,并导致改进的薄膜电性能。