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公开(公告)号：CN1711621A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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公开(公告)号：CN102334164A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009228.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于集成电路的片上电压转换装置包括：第一电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨。
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公开(公告)号：CN102334164B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080009228.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于集成电路的片上电压转换装置包括：第一电容器；第一NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第一电极耦合到第一电压域的低侧电压轨；第一PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第一电极耦合到所述第一电压域的高侧电压轨；第二NFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的第二电极耦合到第二电压域的低侧电压轨，其中所述第二电压域的所述低侧电压轨对应于所述第一电压域的所述高侧电压轨；以及第二PFET器件，其被配置为选择性地将所述第一电容器的所述第二电极耦合到所述第二电压域的高侧电压轨。
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公开(公告)号：CN100388409C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380103007.6
申请日：2003-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/3266
Abstract: 一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响。该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强。该磁场可以是直线的，或环形的。在操作中，电子被Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移。中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞。中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性。同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻。
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