-
公开(公告)号：CN113454764A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980089320.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/288 , H01L23/532
Abstract: 一种制造电介质膜的方法，包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
