公开(公告)号：CN114424354A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065074.7

申请日：2020-09-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  D.西尔 ,  O.格卢申科夫 ,  Y.苏莱里亚

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 具有改进的化学和物理性质的硬化的间隙填充电介质材料横向邻近存储器结构的多层磁隧道结(MTJ)柱和顶部电极结构形成。硬化的间隙填充电介质材料可通过经由离子注入将断键添加剂引入到沉积态的间隙填充电介质材料层中，然后固化包含断键添加剂的间隙填充电介质材料层而形成。固化包括单独的UV固化，或UV固化与激光退火的组合。本申请中所采用的固化不会不利地影响MTJ柱或顶部电极结构。

公开(公告)号：CN113454764A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201980089320.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.阮 ,  B.布里格斯 ,  H.肖布哈 ,  D.西尔 ,  T.J.小海格 ,  D.F.卡纳佩里 ,  游汉 ,  高徽

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532

Abstract: 一种制造电介质膜的方法，包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。