公开(公告)号：CN110556335A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910439085.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.D.布里格斯 ,  J.J.凯利 ,  D.F.卡纳佩里 ,  M.里佐洛 ,  L.A.克莱文杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提出了通过采用选择性金属沉积来创建完全对准的通孔(FAV)。所述方法包含在第一层间电介质(ILD)层内形成金属线，在第一ILD层之上形成第二ILD层，在第二ILD层之上形成光刻堆叠体以限定防止通孔生长的区域，使光刻堆叠体凹陷以暴露金属线的由光刻堆叠体允许通孔生长的顶表面，以及在金属线的允许通孔生长的暴露的顶表面之上进行金属生长。

公开(公告)号：CN110556335B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910439085.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.D.布里格斯 ,  J.J.凯利 ,  D.F.卡纳佩里 ,  M.里佐洛 ,  L.A.克莱文杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提出了通过采用选择性金属沉积来创建完全对准的通孔(FAV)。所述方法包含在第一层间电介质(ILD)层内形成金属线，在第一ILD层之上形成第二ILD层，在第二ILD层之上形成光刻堆叠体以限定防止通孔生长的区域，使光刻堆叠体凹陷以暴露金属线的由光刻堆叠体允许通孔生长的顶表面，以及在金属线的允许通孔生长的暴露的顶表面之上进行金属生长。

公开(公告)号：CN113454764A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201980089320.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.阮 ,  B.布里格斯 ,  H.肖布哈 ,  D.西尔 ,  T.J.小海格 ,  D.F.卡纳佩里 ,  游汉 ,  高徽

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532

Abstract: 一种制造电介质膜的方法，包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。