公开(公告)号：CN1830090A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021683.3

申请日：2004-08-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·登纳德 ,  W·亨施 ,  H·哈纳菲

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76275 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了SOI CMOS技术，利用该技术将多晶硅后栅极用于控制前栅极器件的阈值电压，并且nMOS和pMOS后栅极彼此和与所述前栅极无关地切换。具体地说，本发明提供了一种制造后栅极型完全耗尽的CMOS器件的方法，其中所述器件的后栅极与所述器件的前栅极以及源极/漏极延伸自对准。这样的结构使电容最小，同时提高了器件和电路性能。利用现有的SIMOX(氧离子注入隔离)或接合SOI晶片、晶片接合和减薄、多晶Si蚀刻、低压化学气相沉积以及化学机械抛光，制造本发明的后栅极型完全耗尽的COMS器件。

公开(公告)号：CN100568535C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200480021683.3

申请日：2004-08-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·登纳德 ,  W·亨施 ,  H·哈纳菲

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76275 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了SOI CMOS技术，利用该技术将多晶硅后栅极用于控制前栅极器件的阈值电压，并且nMOS和pMOS后栅极彼此和与所述前栅极无关地切换。具体地说，本发明提供了一种制造后栅极型完全耗尽的CMOS器件的方法，其中所述器件的后栅极与所述器件的前栅极以及源极/漏极延伸自对准。这样的结构使电容最小，同时提高了器件和电路性能。利用现有的SIMOX(氧离子注入隔离)或接合SOI晶片、晶片接合和减薄、多晶Si蚀刻、低压化学气相沉积以及化学机械抛光，制造本发明的后栅极型完全耗尽的COMS器件。