公开(公告)号：CN115088076A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013505.X

申请日：2021-02-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克瑞什那 ,  B·海克马特少塔巴瑞 ,  A·雷茨尼采克 ,  安藤崇志

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: 一种方法可以包括形成一个堆叠在另一个顶上并且由电阻式随机存取存储器结构分开的两个垂直传输场效应晶体管。两个垂直传输场效应晶体管可以包括源极(104,112)、沟道(106,110)和漏极，其中，电阻式随机存取存储器结构的接触层(152)用作两个垂直传输场效应晶体管的漏极。形成两个垂直传输场效应晶体管可以进一步包括形成第一源极(104)和第二源极(112)。第一源极(104)是底部源极，第二源极(112)是顶部源极。该方法可以包括形成围绕沟道(106,110)的栅极导体层(138,140)。电阻式随机存取存储器结构可包含由尖头界定的刻面外延体(144)。刻面外延体(144)的尖端可以朝向彼此垂直延伸。刻面外延体(144)可以在两个垂直传输场效应晶体管之间。

公开(公告)号：CN114747015A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083203.5

申请日：2020-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·雷茨尼采克 ,  B·海克马特少塔巴瑞 ,  安藤崇志 ,  K·巴拉克瑞什那

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种单晶体管双电阻器(1T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及用于形成所述结构的方法，包括形成垂直场效应晶体管(VFET)，所述VFET包括位于沟道区域(502)上方和介电盖(708)下方的外延区域(810)。外延区域(810)包括由水平延伸超过沟道区域(502)的 平面界定的三角形形状的两个相对的突出区域。在VFET上共形地沉积ReRAM堆叠体。ReRAM堆叠体包括直接位于外延区域(810)上方的氧化物层(1910)、直接在氧化物层(1910)上方的顶部电极层(1912)和在顶部电极层(1912)上方的金属填充物(1920)。外延区域(810)的两个相对的突出区域中的每个充当ReRAM堆叠体的底部电极。