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发明公开
具有非对称阈值电压的垂直传输CMOS晶体管审中-实审

公开(公告)号：CN116529888A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077867.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 , 李忠贤 , 张婧芸 , A·雷兹尼采克

IPC: H01L29/165

Abstract: 提供了一种用于沿着垂直传输场效应晶体管(VTFET)的沟道触发不对称阈值电压的半导体结构。该半导体结构包括：第一组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第一材料层；第二组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第二材料层；第一高κ金属栅极，设置在第一组鳍状物上方；以及第二高κ金属栅极，设置在第二组鳍状物上方。在第一组和第二组鳍状物的底部处限定的区域中，沿着VTFET的沟道存在非对称阈值电压，并且第二材料层的Ge含量高于SiGe层的Ge含量。

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