用于DRAM的中间电路和方法

    公开(公告)号:CN103700393B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201210366774.7

    申请日:2012-09-28

    CPC classification number: G11C11/406 G11C11/40611

    Abstract: 公开了一种用于隐藏DRAM的刷新冲突的中间电路和方法。中间电路连接在工作于第一时钟CLK1的用户接口和工作于第二时钟CLK2的DRAM之间,并包括:第一控制电路,基于第二时钟产生命令输出使能信号CON,数据读取使能信号DRN和刷新使能信号REFN,其中信号CON具有的第一状态和第二状态的时长的比例等于CLK2/(CLK1?CLK2),信号REFN与信号CON状态相反,用于DRAM的刷新;命令缓冲器,存储从用户接口接收的存取命令,并响应于信号CON的第一状态将存储的存取命令输出到DRAM;数据缓冲器,响应于信号DRN的第一状态从DRAM读取数据,并将读取的数据输出到所述用户接口。利用本发明实施例的中间电路和方法,可以隐藏DRAM中的刷新冲突,从而在用户接口处将获得固定的存取延迟。

    用于DRAM的中间电路和方法

    公开(公告)号:CN103700393A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201210366774.7

    申请日:2012-09-28

    CPC classification number: G11C11/406 G11C11/40611

    Abstract: 本发明公开了一种用于隐藏DRAM的刷新冲突的中间电路和方法。中间电路连接在工作于第一时钟CLK1的用户接口和工作于第二时钟CLK2的DRAM之间,并包括:第一控制电路,基于第二时钟产生命令输出使能信号CON,数据读取使能信号DRN和刷新使能信号REFN,其中信号CON具有的第一状态和第二状态的时长的比例等于CLK2/(CLK1-CLK2),信号REFN与信号CON状态相反,用于DRAM的刷新;命令缓冲器,存储从用户接口接收的存取命令,并响应于信号CON的第一状态将存储的存取命令输出到DRAM;数据缓冲器,响应于信号DRN的第一状态从DRAM读取数据,并将读取的数据输出到所述用户接口。利用本发明实施例的中间电路和方法,可以隐藏DRAM中的刷新冲突,从而在用户接口处将获得固定的存取延迟。

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