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公开(公告)号：CN1242107A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN96180571.4
申请日：1996-12-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 派纳约提斯·C·安德里卡可斯 , 哈里克利亚·德里吉安尼 , 约翰·O·杜可威克 , 威尔玛·J·霍尔凯斯 , 塞普莱恩·E·尤佐 , 黄洸汉 , 胡朝坤 , 丹尼尔·C·艾德尔斯坦恩 , 肯尼思·P·罗得贝尔 , 杰弗瑞·L·哈得
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 描述了一种制造集成电路芯片的亚微米互连结构的工艺。借助于含有添加剂且通常用来淀积平整光亮的可延展的低应力Cu金属的浴液电镀Cu,得到了无空洞和无缝隙的导体。此方法极好地填充图形而不留下空洞或缝隙的能力是独一无二的且优越于其它淀积方法。
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公开(公告)号：CN1181530C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN96180571.4
申请日：1996-12-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 派纳约提斯·C·安德里卡可斯 , 哈里克利亚·德里吉安尼 , 约翰·O·杜可威克 , 威尔玛·J·霍尔凯斯 , 塞普莱恩·E·尤佐 , 黄洸汉 , 胡朝坤 , 丹尼尔·C·艾德尔斯坦恩 , 肯尼思·P·罗得贝尔 , 杰弗瑞·L·哈得
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 描述了一种制造集成电路芯片的亚微米互连结构的工艺。借助于含有添加剂且通常用来淀积平整光亮的可延展的低应力Cu金属的浴液电镀Cu，得到了无空洞和无缝隙的导体。此方法极好地填充图形而不留下空洞或缝隙的能力是独一无二的且优越于其它淀积方法。
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公开(公告)号：CN1155076C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99111966.5
申请日：1999-08-05
Inventor： 拉里·克莱文格 , 小罗纳德·G·菲力宾 , 杰弗里·甘姆宾诺 , 莱恩·吉格奈克 , 杰弗里·L·哈德 , 马克·豪因吉斯 , 罗伊·C·拉古尔敦 , 艾布罗海姆·梅特 , 肯尼思·P·罗得贝尔 , 弗罗丽安·施纳贝尔 , 斯德范·J·韦博
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/283
Abstract: 一种在半导体衬底的绝缘层内凹部中的提高了可靠性的导电镶嵌结构及其制造工艺。该工艺包括在凹部淀积具有与绝缘层接触的第一金属的润湿层，在润湿层上均匀淀积阻挡层，在阻挡层上淀积具有第二金属的导电层。施行导电层淀积步骤的温度低于第一和第二金属通过阻挡层扩散而导致生成第一与第二金属的金属互化物的温度。
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公开(公告)号：CN1306306A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN99111966.5
申请日：1999-08-05
Inventor： 拉里·克莱文格 , 小罗纳德·G·菲力宾 , 杰弗里·甘姆宾诺 , 莱恩·吉格奈克 , 杰弗里·L·哈德 , 马克·豪因吉斯 , 罗伊·C·拉·古尔敦 , 艾布罗海姆·梅特 , 肯尼思·P·罗得贝尔 , 弗罗丽安·施纳贝尔 , 斯德范·J·韦博
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/283
Abstract: 一种在半导体衬底的绝缘层内凹部中的提高了可靠性的导电镶嵌结构及其制造工艺。该工艺包括在凹部淀积具有与绝缘层接触的第一金属的润湿层,在润湿层上均匀淀积阻挡层,在阻挡层上淀积具有第二金属的导电层。施行导电层淀积步骤的温度低于第一和第二金属通过阻挡层扩散而导致生成第一与第二金属的金属互化物的温度。
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