公开(公告)号：CN1242107A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN96180571.4

申请日：1996-12-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 派纳约提斯·C·安德里卡可斯 ,  哈里克利亚·德里吉安尼 ,  约翰·O·杜可威克 ,  威尔玛·J·霍尔凯斯 ,  塞普莱恩·E·尤佐 ,  黄洸汉 ,  胡朝坤 ,  丹尼尔·C·艾德尔斯坦恩 ,  肯尼思·P·罗得贝尔 ,  杰弗瑞·L·哈得

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述了一种制造集成电路芯片的亚微米互连结构的工艺。借助于含有添加剂且通常用来淀积平整光亮的可延展的低应力Cu金属的浴液电镀Cu,得到了无空洞和无缝隙的导体。此方法极好地填充图形而不留下空洞或缝隙的能力是独一无二的且优越于其它淀积方法。

公开(公告)号：CN1181530C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN96180571.4

申请日：1996-12-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 派纳约提斯·C·安德里卡可斯 ,  哈里克利亚·德里吉安尼 ,  约翰·O·杜可威克 ,  威尔玛·J·霍尔凯斯 ,  塞普莱恩·E·尤佐 ,  黄洸汉 ,  胡朝坤 ,  丹尼尔·C·艾德尔斯坦恩 ,  肯尼思·P·罗得贝尔 ,  杰弗瑞·L·哈得

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述了一种制造集成电路芯片的亚微米互连结构的工艺。借助于含有添加剂且通常用来淀积平整光亮的可延展的低应力Cu金属的浴液电镀Cu，得到了无空洞和无缝隙的导体。此方法极好地填充图形而不留下空洞或缝隙的能力是独一无二的且优越于其它淀积方法。