-
公开(公告)号：CN113646889A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080027677.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：形成一个或多个垂直鳍部，每个垂直鳍部包括为堆叠式VTFET结构的下部垂直传输场效应晶体管(VTFET)提供垂直传输通道的第一半导体层，所述第一半导体层上方的隔离层，以及所述隔离层上方的为所述堆叠式VTFET结构的上部VTFET提供垂直传输通道的第二半导体层。该方法还包括形成第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠包括第一栅极电介质层和和第一栅极导体层，其围绕垂直鳍部的第一半导体层的一部分。该方法还包括形成第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠包括第二栅极电介质层和第二栅极导体层，其围绕垂直鳍部的第二半导体层的一部分。第一栅极导体层和第二栅极导体层是相同的材料。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
