公开(公告)号：CN101416316A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200680014216.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约耳·P.·德索扎 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  凯瑟琳·L.·萨恩格 ,  宋均镛 ,  杨敏 ,  尹海洲

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。

公开(公告)号：CN101416316B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200680014216.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约耳·P.·德索扎 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  凯瑟琳·L.·萨恩格 ,  宋均镛 ,  杨敏 ,  尹海洲

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。