公开(公告)号：CN104347583A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310328842.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曾梁英 ,  袁泉 ,  方大晟 ,  王晓霞 ,  张竞杨

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体制造方法、掩模形成方法和半导体结构。根据本发明的一个方面，提供了一种半导体制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成金属布线层，所述金属布线层包括电介质和位于所述电介质中的金属布线和金属填充；完全去除所述金属布线层中的所述金属填充以形成不具有所述金属填充的所述金属布线层。采用根据本发明实施例的技术方案，可以消除由金属填充导致的不利影响。