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公开(公告)号：CN101779280A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880102570.4
申请日：2008-08-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 劳伦斯·A·克莱文格 , 蒂莫西·J·达尔顿 , 埃尔伯特·E·黄 , 萨姆帕斯·普鲁肖萨曼 , 卡尔·J·拉登斯
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H05K3/40 , H01B17/66 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76822 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/1039 , Y10T156/1082 , Y10T428/24521 , Y10T428/24529 , Y10T428/24537 , Y10T428/24612 , Y10T428/24711 , H01L2924/00
Abstract: 电介质复合结构包括在互连堆叠中拥有纳米级波纹界面的界面，该电介质复合结构提供粘合强度和界面断裂韧性的提高。还描述了进而包括波纹附着力促进剂层(114)从而进一步增加固有界面附着的复合结构。还描述了使用自组装聚合物系统和图案转移工艺形成允许这些结构的纳米级波纹界面的方法。
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公开(公告)号：CN101779280B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880102570.4
申请日：2008-08-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 劳伦斯·A·克莱文格 , 蒂莫西·J·达尔顿 , 埃尔伯特·E·黄 , 萨姆帕斯·普鲁肖萨曼 , 卡尔·J·拉登斯
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H05K3/40 , H01B17/66 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76822 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/1039 , Y10T156/1082 , Y10T428/24521 , Y10T428/24529 , Y10T428/24537 , Y10T428/24612 , Y10T428/24711 , H01L2924/00
Abstract: 电介质复合结构包括在互连堆叠中拥有纳米级波纹界面的界面，该电介质复合结构提供粘合强度和界面断裂韧性的提高。还描述了进而包括波纹附着力促进剂层(114)从而进一步增加固有界面附着的复合结构。还描述了使用自组装聚合物系统和图案转移工艺形成允许这些结构的纳米级波纹界面的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100483678C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710097020.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考什克·A·库玛尔 , 凯文·S.·佩特拉卡 , 斯特凡·格鲁诺夫 , 劳伦斯·A·克莱文格 , 维德赫亚·拉马昌德拉 , 泽奥多鲁斯·E.·斯坦达耶尔特
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构，包括多条形成于层间电介质(ILD)层内的导线，和一个形成于ILD层和导线上面的非平面帽层，其中该帽层在导线之间的位置处相对于导线抬高。
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公开(公告)号：CN1234168C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03146676.1
申请日：2003-07-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 劳伦斯·A·克莱文格 , 许宗美 , 许履尘 , 黄洸汉
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , Y10T307/74 , Y10T307/766 , Y10T307/773 , Y10T307/832 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成芯片结构的方法和结构，该集成芯片结构包括：衬底，具有电源；芯片，附于衬底；至少两个去耦电容器，附于芯片和电源；以及控制电路，被配置为选择有源去耦电容器的物理位置以使其与无源去耦电容器交错。本发明选择性地将去耦电容器与电源连接和断开，从而使无源去耦电容器在芯片上提供一致的散热功能，并且使有源去耦电容器在芯片上提供一致的功率调节功能。
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公开(公告)号：CN101079394A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710097020.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考什克·A·库玛尔 , 凯文·S.·佩特拉卡 , 斯特凡·格鲁诺夫 , 劳伦斯·A·克莱文格 , 维德赫亚·拉马昌德拉 , 泽奥多鲁斯·E.·斯坦达耶尔特
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构，包括多条形成于层间电介质(ILD)层内的导线，和一个形成于ILD层和导线上面的非平面帽层，其中该帽层在导线之间的位置处相对于导线抬高。
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公开(公告)号：CN1471158A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03146676.1
申请日：2003-07-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 劳伦斯·A·克莱文格 , 许宗美 , 许履尘 , 黄洸汉
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , Y10T307/74 , Y10T307/766 , Y10T307/773 , Y10T307/832 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成芯片结构的方法和结构，该集成芯片结构包括：衬底，具有电源；芯片，附于衬底；至少两个去耦电容器，附于芯片和电源；以及控制电路，被配置为选择有源去耦电容器的物理位置以使其与无源去耦电容器交错。本发明选择性地将去耦电容器与电源连接和断开，从而使无源去耦电容器在芯片上提供一致的散热功能，并且使有源去耦电容器在芯片上提供一致的功率调节功能。
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公开(公告)号：CN1266284A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN99123392.1
申请日：1999-10-28
Inventor： 豪尔墨·U·西奇 , 劳伦斯·A·克莱文格 , 罗纳德·G·非利普 , 罗伊·C·伊古尔登 , 达里尔·D·雷斯泰诺 , 肯尼斯·P·罗德贝尔 , 斯特凡·J·威伯 , 彼德·威甘德
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
Abstract: 一种集成电路的互连,它包括包含降低了沾污的钛的用来改善电迁移和支持另一层的下层。包含铝的中间层被淀积在下层上。包含相对于下层提高了沾污的钛的用来提供降低了的薄层电阻的上层被加于中间层上。得到互连具有改善了的可靠性和功能。还提供了一种方法。
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