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公开(公告)号：CN118157304A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410021892.7
申请日：2024-01-05
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司
Inventor： 鲁一苇 , 姚德贵 , 董曼玲 , 宋伟 , 陈涛 , 张军 , 寇晓适 , 周宁 , 张嘉涛 , 曾嵘 , 王江平 , 张磊 , 肖超 , 张朝峰 , 王森 , 余占清 , 娄彦涛 , 王峰瀛
Abstract: 本发明属于换流器技术领域，具体涉及一种IGCT换流阀用光CT系统，包括数据采集系统、数据分析处理系统及阀控系统；所述的数据采集系统对IGCT换流阀桥臂电流信息、桥臂振动信息及光CT附近的电信号及磁信号进行在线监测并将在线监测到的数据信息传输给数据分析处理系统；所述的数据分析处理系统接收在线监测的数据信息，对其按照预设逻辑进行分析处理并把分析结果发送阀控系统进行控制操作，对于提升IGCT换流阀桥臂电流测量以及主动关断关键功能的准确性和可靠性意义重大。
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公开(公告)号：CN118606619A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410638024.3
申请日：2024-05-22
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 姚德贵 , 董曼玲 , 鲁一苇 , 张朝峰 , 王森 , 肖超 , 张嘉涛 , 宋伟 , 张军 , 周宁 , 刘湘莅 , 曾嵘 , 余占清 , 娄彦涛 , 陆剑秋 , 高珂 , 王江平 , 张磊 , 王峰瀛
IPC: G06F17/18 , G06F16/248
Abstract: 本发明涉及复合式HCC换流器技术领域，公开了复合式HCC换流器的开关器件数量计算方法、装置和介质，其中计算方法通过依据IGCT的重复峰值电压Vd1、晶闸管的重复峰值电压Vd2和获取跨阀操作冲击保护电压SIWL来计算复合式HCC换流器中的晶闸管组件、晶闸管和IGCT阀混合组件以及全IGCT阀组件中的器件的串联数量，便于HCC换流器的结构设计，利于推动超/特高压输电领域的技术进步和发展。
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公开(公告)号：CN119716195A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411745759.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司直流技术中心 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 董曼玲 , 姚德贵 , 鲁一苇 , 张朝峰 , 肖超 , 王森 , 张嘉涛 , 吴加新 , 周宁 , 武振宇 , 张国华 , 魏卓 , 曾嵘 , 余占清 , 娄彦涛 , 高珂 , 王江平 , 张磊 , 王峰瀛
IPC: G01R15/18 , H02M1/00 , H02M7/162 , H02J3/36 , G01R19/175
Abstract: 本本发明属于HCC新型高压直流换流器技术领域，具体涉及一种HCC换流阀电流测量策略，包括在电流互感器配置拓扑的每个桥臂上都设置电流互感器采集装置以测量换流器桥臂电流；所述的电流互感器采集装置同时连接有阀控装置和极控装置，所述的阀控装置对直流母线电流和换流变阀侧交流电流进行测量以进行主动关断判断，所述的极控装置对桥臂电流、直流母线电流和换流变阀侧交流电流进行同时测量以进行阀内故障判断。该策略满足复合式HCC新型高压直流换流器电流测量的要求，进行装置的控制策略判据和设备保护判据，保证换流器正常工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118589569A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410638029.6
申请日：2024-05-22
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司直流技术中心 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 姚德贵 , 董曼玲 , 宋伟 , 张军 , 徐玲铃 , 周宁 , 张国华 , 刘湘莅 , 鲁一苇 , 肖超 , 魏卓 , 高晟辅 , 张嘉涛 , 张朝峰 , 王森 , 余占清 , 曾嵘 , 张松 , 娄彦涛 , 陆剑秋 , 高珂 , 王江平 , 张磊 , 王峰瀛
Abstract: 本发明涉及直流输电技术领域，公开了一种复合式HCC换流装置，包括并联的第一开关支路和第二开关支路；第一开关支路上设有混合阀组件和至全IGCT阀组件，混合阀组件包括第一晶闸管开关单元和第一IGCT开关单元，全ICGT阀组件包括至少一个第二IGCT开关单元；所有第一晶闸管开关单元、第一IGCT开关单元和第二IGCT开关单元串联连接；第二开关支路包括第二晶闸管开关单元；在使用时，本发明的HCC换流装置通过设置第一开关支路和第二开关支路，以及在第一开关支路上设置带有晶闸管开关单元和IGCT开关单元的混合阀组件和设置带有IGCT开关单元的全IGCT阀组件，在第二开关支路上设置晶闸管开关单元，从而使本发明既可以运行在全控模式也可以运行在半控模式，增强了可运行能力。
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公开(公告)号：CN117895766A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410006442.0
申请日：2024-01-03
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司
Inventor： 董曼玲 , 姚德贵 , 宋伟 , 张军 , 陈涛 , 寇晓适 , 周宁 , 张嘉涛 , 鲁一苇 , 肖超 , 王峰瀛 , 张朝峰 , 王森 , 曾嵘 , 余占清 , 娄彦涛 , 王江平 , 张松 , 张磊
Abstract: 本发明提供了一种HCC换流器装置及连续抵御换相失败的方法，属于换流器技术领域。所述方法包括：S1、设定第一IGCT阀组件和第二IGCT阀组件的抵御次数阈值；S2、选择下次抵御时的第一动作组件和第二动作组件；S3、换相失败时，以第一动作组件抵御换相失败，并累计抵御次数；若期间成功抵御了换相失败，则返回S2等待下一次执行；S4、当累计抵御次数超过对应的抵御次数阈值时，切换至第二动作组件抵御换相失败，并继续累计抵御次数；若期间成功抵御了换相失败，则返回S2等待下一次执行；S5、当累计抵御次数超过第一IGCT阀组件和第二IGCT阀组件的抵御次数阈值之和时，返回S2等待下一次执行。本发明能够通过切换第一IGCT阀组件和第二IGCT阀组件来抵御连续的换相失败。
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公开(公告)号：CN117895765A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410006440.1
申请日：2024-01-03
Applicant: 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司
Inventor： 董曼玲 , 姚德贵 , 宋伟 , 张军 , 陈涛 , 寇晓适 , 周宁 , 张嘉涛 , 肖超 , 鲁一苇 , 张磊 , 张朝峰 , 王森 , 曾嵘 , 余占清 , 娄彦涛 , 张松 , 王江平 , 王峰瀛
Abstract: 本发明提供了一种复合式HCC高压直流换流器的拓扑结构，属于换流器技术领域。所述拓扑结构包括多个桥臂，每个桥臂均包括至少一组子模块；每组所述子模块均包括并联设置的混合阀串和晶闸管阀串，所述混合阀串包括串联设置的混联子阀串和可关断子阀串；所述晶闸管阀串包括串联或混联的多个晶闸管；所述可关断子阀串包括串联或混联的多个可关断组件；所述混联子阀串包括串联或混联的多个晶闸管、以及串联或混联的多个可关断组件，且多个所述晶闸管与多个所述可关断组件之间串联设置。本发明能够解决直流系统逆变侧换相失败问题，能够解决因桥臂关断大电流失败而出现的整个桥臂短路失效的风险，具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN118604405A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410806849.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R1/04 , G01R31/26 , H01L29/744
Abstract: 本发明公开了一种大功率IGCT芯片阻断特性测试用夹具及测试方法，包括绝缘的夹具盘，夹具盘上设置有载片区，载片区由夹具盘的上表面向下凹陷，载片区的底面上设置有突出部和圆形口，圆形口内装配有金属结构件，芯片放置在载片区内后，金属结构件的顶部与芯片的阴极面接触；与现有技术相对比，本发明的有益效果是：将芯片放入测试夹具，通过测试芯片P1N1P2结构阻断电压，进而获取芯片I‑V特性，该测试方式所得特性结果和门阴极施加负偏压或短路处理测试回路相同。但减少门阴极间施加负偏压或短路处理过程，采用该测试方法及测试夹具，减少了测试对准时间及门阴极间施加负偏压或短路处理过程，且可有效减少芯片表面损伤，具有较强的实用价值。
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公开(公告)号：CN117810270A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311840261.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。
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