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公开(公告)号：CN107452742B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201710265559.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社和广武
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643720A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780041826.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H01L27/1159 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L27/11587
Abstract: 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。
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公开(公告)号：CN107452742A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710265559.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
CPC classification number: H01L29/40111 , G11C11/223 , H01L21/02181 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L27/1159 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6684 , H01L29/78391 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm
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公开(公告)号：CN109643720B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201780041826.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H10B51/10 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H10B51/30
Abstract: 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同
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公开(公告)号：CN103766000B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201280027217.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社和广武
Inventor： 楠原昌树
CPC classification number: H01J37/3255 , C23C16/345 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45595 , C23C16/50 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L31/02168 , H05H1/2406 , H05H2001/2418 , H05H2001/2431 , H05H2001/245 , H05H2001/2456
Abstract: 现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。
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公开(公告)号：CN103766000A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280027217.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社和广武
Inventor： 楠原昌树
CPC classification number: H01J37/3255 , C23C16/345 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45595 , C23C16/50 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L31/02168 , H05H1/2406 , H05H2001/2418 , H05H2001/2431 , H05H2001/245 , H05H2001/2456
Abstract: 现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。
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