公开(公告)号：CN103766000B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201280027217.0

申请日：2012-05-31

Applicant: 株式会社和广武

Inventor： 楠原昌树

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3255 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L31/02168 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2418 ,  H05H2001/2431 ,  H05H2001/245 ,  H05H2001/2456

Abstract: 现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。

公开(公告)号：CN107452742B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201710265559.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社和广武

Inventor： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

公开(公告)号：CN103766000A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280027217.0

申请日：2012-05-31

Applicant: 株式会社和广武

Inventor： 楠原昌树

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3255 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L31/02168 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2418 ,  H05H2001/2431 ,  H05H2001/245 ,  H05H2001/2456

Abstract: 现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。